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萬萬沒想到,飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀竟有這樣的優(yōu)勢!

更新時(shí)間:2020-12-07瀏覽:2672次

  飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀是一種既能測試有機(jī)物,又能測試無機(jī)物的一種檢測儀器,使用一次的離子源(Ga,Cs, O2, etc)轟擊樣品,產(chǎn)生二次離子,激發(fā)的二次離子被引入一個(gè)無場區(qū)(drift tube),自由飛行,飛行時(shí)間的長短,與離子的mass-to-charge ratio的二分之一此方成正比;也就是說,質(zhì)量數(shù)越小的離子飛得越快,到達(dá)檢測器的時(shí)間越短,反之,質(zhì)量數(shù)越大的離子飛得越慢,到達(dá)檢測器的時(shí)間越長,這樣就可以實(shí)現(xiàn)質(zhì)譜的分離。
 
  飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀的技術(shù)優(yōu)勢:
 
  1. 優(yōu)異的摻雜劑和雜質(zhì)檢測靈敏度??梢詸z測到ppm或更低的濃度
 
  2. 深度剖析具有良好的檢測限制和深度辨析率
 
  3. 小面積分析(10 µm 或更大)
 
  4. 檢測包含H在內(nèi)的元素及同位素
 
  5. 優(yōu)良的動(dòng)態(tài)范圍(6 orders of magnitude)
 
  6. 在某些應(yīng)用中可能用來做化學(xué)計(jì)量/組成成份
 
  飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀的主要用途:
 
  1. 摻雜劑與雜質(zhì)的深度剖析
 
  2. 薄膜的成份及雜質(zhì)測定 (金屬、電介質(zhì)、鍺化硅 、III-V族、II-V族)
 
  3. 超薄薄膜、淺植入的較高深度辨析率剖析
 
  4. 硅材料整體分析,包含B, C, O,以及N
 
  5. 工藝工具(離子植入)的高精度分析

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