服務(wù)熱線
13501238067
簡(jiǎn)要描述:TOF-qSIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀設(shè)計(jì)用于多種材料的表面分析和深度剖析應(yīng)用,包括聚合物,藥物,超導(dǎo)體,半導(dǎo)體,合金,光學(xué)和功能涂層以及電介質(zhì),檢測(cè)限低于1ppm。
品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè) |
---|
Hiden TOF-qSIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀設(shè)計(jì)用于多種材料的表面分析和深度剖析應(yīng)用,包括聚合物,藥物,超導(dǎo)體,半導(dǎo)體,合金,光學(xué)和功能涂層以及電介質(zhì),檢測(cè)限低于1ppm。
TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜。
四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析,低入射能力,高入射電流,濺射和分析連續(xù)進(jìn)行,是典型的Dynamic SIMS 動(dòng)態(tài)SIMS。
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS使用飛行時(shí)間質(zhì)譜,質(zhì)量數(shù)范圍寬,質(zhì)量分辨率高,且測(cè)量速度快(瞬間得到全譜)。離子槍僅需要一次脈沖濺射,即可得到全譜,對(duì)表面幾乎無破壞作用。因脈沖模式分析,且電流小,所以產(chǎn)生的二次離子比率相對(duì)少,靈敏度相比動(dòng)態(tài)SIMS弱,但成像和表面分析能力強(qiáng),是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS。
TOF-qSIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優(yōu)點(diǎn),可以分析所有的導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣材料;對(duì)硅、高k、硅鍺以及III-V族化合物等復(fù)合材料的薄層提供超淺深度剖析、痕量元素和組分測(cè)量等一系列擴(kuò)展功能。對(duì)于材料/產(chǎn)品表面成分及分布,表面添加組分、雜質(zhì)組分、表面多層結(jié)構(gòu)/鍍膜成分、表面異物殘留(污染物、顆粒物、腐蝕物等)、表面痕量摻雜、表面改性、表面缺陷(劃痕、凸起)等有很好的表征能力。
一臺(tái)SIMS同時(shí)提供四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜:
靜態(tài)SIMS Static SIMS
動(dòng)態(tài)SIMS Dynamic SIMS
Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍
樣品 3D成像分析
檢測(cè)限低于ppm
SNMS 離子源,二次中性粒子譜
二次離子質(zhì)譜成像軟件,靜態(tài)二次離子質(zhì)譜圖庫,二次離子質(zhì)譜后處理軟件
技術(shù)參數(shù):
質(zhì)量數(shù)范圍:300,510或1000amu
分辨率:5%的谷,兩個(gè)相連的等高峰。
檢測(cè)器:離子計(jì)數(shù)檢測(cè)器,正、負(fù)離子檢測(cè)
檢測(cè)限:1:10E7
質(zhì)量過濾器:三級(jí)過濾四極桿(9mm桿)
主離子槍: A,氧離子或其它氣體,能量到5KeV
B,Ga離子槍,能量25KeV(選配)
空間分辨率:A:100~150um
B: 50nm
取樣深度:2個(gè)單分子層(靜態(tài))
不受限制(動(dòng)態(tài))
主要特點(diǎn):
1、高靈敏度脈沖離子計(jì)數(shù)檢測(cè)器,7個(gè)數(shù)量級(jí)的動(dòng)態(tài)范圍
2、SIMS 成像,分辨率在微米以下
3、光柵控制,增強(qiáng)深度分析能力
4、所有能量范圍內(nèi),離子行程的最小擾動(dòng),及恒定離子傳輸
5、差式泵3級(jí)過濾四極桿,質(zhì)量數(shù)范圍至1000amu
6、靈敏度高 / 穩(wěn)定的脈沖離子計(jì)數(shù)檢測(cè)器
7、Penning規(guī)和互鎖裝置可提供過壓保護(hù)
8、通過RS232、RS485或Ethernet LAN,軟件 MASsoft控制
上一產(chǎn)品:ESPion等離子體診斷
下一產(chǎn)品:IGAsorp蒸汽吸附儀
掃一掃 微信咨詢
© 2024 英格海德分析技術(shù)有限公司 版權(quán)所有 備案號(hào):京ICP備05008133號(hào)-4 技術(shù)支持:化工儀器網(wǎng) 管理登陸 sitemap.xml